ASTM F1261M-1996(2003) 薄膜金属直线平均电宽度测定的标准试验方法
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时间:2024-05-23 16:00:30
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforDeterminingtheAverageElectricalWidthofaStraight,Thin-FilmMetalLine[Metric]
【原文标准名称】:薄膜金属直线平均电宽度测定的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1261M-1996(2003)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:微电子处理设备;电阻抗;硅半导体;宽度;面积;喷镀金属;集成电路;接线盒;半导体;降解;电流测量;电压;结晶半导体;半导体硅片;平均宽度;十字形;行距宽度的效率;电子探测器;特性;试验
【英文主题词】:aluminum;electricalinterconnect;electricallinewidth;linewidth;metallization;semiconductor;teststructure;thinfilm
【摘要】:1.1Thistestmethodisdesignedfordeterminingtheaverageelectricalwidthofanarrowthin-filmmetallizationline.1.2Thistestmethodisintendedformeasuringthinmetallizationlinessuchasareusedinmicroelectroniccircuitswherethe
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:
【页数】:4P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:薄膜金属直线平均电宽度测定的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1261M-1996(2003)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:微电子处理设备;电阻抗;硅半导体;宽度;面积;喷镀金属;集成电路;接线盒;半导体;降解;电流测量;电压;结晶半导体;半导体硅片;平均宽度;十字形;行距宽度的效率;电子探测器;特性;试验
【英文主题词】:aluminum;electricalinterconnect;electricallinewidth;linewidth;metallization;semiconductor;teststructure;thinfilm
【摘要】:1.1Thistestmethodisdesignedfordeterminingtheaverageelectricalwidthofanarrowthin-filmmetallizationline.1.2Thistestmethodisintendedformeasuringthinmetallizationlinessuchasareusedinmicroelectroniccircuitswherethe
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:
【页数】:4P.;A4
【正文语种】:
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